3D-NAND und 3D V-Cache sind mittlerweile den meisten Anwendern ein Begriff, aber in Zukunft soll auch Arbeitsspeicher gestapelt werden. hardware gaming
3D-NAND und 3D V-Cache sind mittlerweile den meisten Anwendern ein Begriff, aber in Zukunft sollen auch die DRAM-Speicherzellen für Arbeitsspeicher gestapelt werden. Während Samsung an VS-DRAM arbeitet, möchte das Start-up Neo Semiconductor seinen 3D X-DRAM etablieren. Ziel ist es, damit die Flächendichte deutlich steigern zu können.
Während 3D-NAND im Bereich der SSDs und des Flash-Speichers mittlerweile auf mehr als 200 Ebenen kommt und AMD bei den Ryzen 7000X3D zusätzlichen L2-Cache auf dem Package stapelt, werden die Speicherzellen für DRAM noch immer nebeneinander angeordnet. Doch Samsungs VS-DRAM sowie der 3D X-DRAM von Neo Semiconductor wollen das zukünftig ändern.
Neo Semiconductor's 3D X-DRAM™ is a first-of-its-kind 3D NAND-like DRAM cell array structure based on capacitor-less floating body cell technology. It can be manufactured using today's 3D NAND-like process and only needs one mask to define the bit line holes and form the cell structure inside the holes.
This cell structure simplifies the process steps and provides a high-speed, high-density, low-cost, and high-yield solution. Based on Neo's estimates, 3D X-DRAM™ technology can achieve 128 Gb density with 230 layers, which is 8 times today's DRAM density.Die 128 GiBit fassenden DRAM-Speicherchips besitzen somit eine Kapazität von 16 GiByte, während klassischer aktuell 2D-DRAM mit maximal 2 GiByte angeboten werden können.
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